A magnetic random access memory comprises a plurality of memory elements
each comprising a magnetic pinned layer; a synthetic antiferromagnetic
free layer including a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic
layer, and a first nonmagnetic layer positioned between the first
ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer, wherein the
directions of magnetization of the first ferromagnetic layer and the
second ferromagnetic layer are antiparallel; and a first conductive
nonmagnetic layer positioned between the magnetic pinned layer and the
synthetic antiferromagnetic free layer; and means for applying a current
to each of the plurality of memory elements to affect the direction of
magnetization of the synthetic antiferromagnetic free layer. A method of
storing data using the magnetoresistive random access memory is also
provided.
Une mémoire à accès sélective magnétique comporte une pluralité des éléments de mémoire chacune qui comporte une couche goupillée magnétique ; une couche libre antiferromagnetic synthétique comprenant une première couche ferromagnétique, une deuxième couche ferromagnétique, et une première couche non magnétique placée entre la première couche ferromagnétique et la deuxième couche ferromagnétique, où les directions de la magnétisation de la première couche ferromagnétique et de la deuxième couche ferromagnétique sont antiparallel ; et une première couche non magnétique conductrice placée entre la couche goupillée magnétique et la couche libre antiferromagnetic synthétique ; et moyens d'appliquer un courant à chacune de la pluralité d'éléments de mémoire pour affecter la direction de la magnétisation de la couche libre antiferromagnetic synthétique. Une méthode de stocker des données employant la mémoire à accès sélective magnétorésistante est également fournie.
