Bipolar integrated circuits employing SiGe technology incorporate the
provision of mask-selectable types of bipolar transistors. A
high-performance/high variability type has a thin base in which the
diffusion from the emitter intersects the base dopant diffusion within the
"ramp" of Ge concentration near the base-collector junction and a lower
performance/lower variability type has an additional epi layer in the base
so that the emitter diffusion intersects the Ge ramp where the ramp has a
lower ramp rate.
Os circuitos integrados bipolares que empregam a tecnologia de SiGe incorporam a provisão de tipos máscara-selecionáveis de transistor bipolares. Um tipo do variability de high-performance/high tem uma base fina em que a difusão do emissor cruza a difusão baixa do dopant dentro da "rampa" da concentração do Ge perto da junção do base-coletor e um tipo mais baixo do variability de performance/lower tem uma camada adicional do epi na base de modo que a difusão do emissor cruze a rampa do Ge onde a rampa tem uma taxa de rampa mais baixa.
