A III group nitride system compound semiconductor light emitting element
has a quantum well structure that includes a well layer of Al.sub.X1
Ga.sub.Y1 In.sub.1-X1-Y1 N, where 0
Ένα ΙΙΙ ομάδας νιτριδίων ελαφρύ εκπέμποντας στοιχείο ημιαγωγών συστημάτων σύνθετο έχει ένα κβάντο να κτίσει καλά που περιλαμβάνει ένα στρώμα φρεατίων Al.sub.X1 Ga.sub.Y1 In.sub.1-X1-Y1 ν, όπου 0
