In one embodiment, a semiconductor device processing method, comprising the
steps of: (a) using a patterned photoresist to form a structure having at
least one edge; (b) prior to removal of the photoresist, forming a
conforming layer from an organic compound and patterning the conforming
layer to form at least one sidewall spacer which are self-aligned to the
at least one edge; (c) performing a processing operation which is at least
partially localized by the at least one sidewall spacer; and (d) removing
the at least one sidewall spacer and the photoresist, wherein the
conforming layer is formed via deposition of at least one organic compound
selected from C.sub.1 to C.sub.8 alkanes C.sub.2 to C.sub.8 alkenes,
C.sub.3 to C.sub.8 cyclo-alkenes, C.sub.4 to C.sub.8 cyclo-alkenes,
C.sub.1 to C.sub.8 fluoro-alkanes, C.sub.2 to C.sub.8 fluoro-alkenes,
C.sub.3 to C.sub.8 cyclofluoro-alkanes, C.sub.4 to C.sub.8
cyclofluoro-alkenes, or mixtures thereof.
In un incorporamento, un metodo di lavorazione del dispositivo a semiconduttore, contenente i punti: (a) usando un photoresist modellato per formare una struttura che ha almeno un bordo; (b) prima di rimozione del photoresist, formante uno strato stante conforme da un compound organico e modellante lo strato stante conforme alla forma almeno un distanziatore del muro laterale che auto-sono allineati al almeno un bordo; (c) realizzando un funzionamento di elaborazione che parzialmente è localizzato almeno dal almeno un distanziatore del muro laterale; e (d) rimuovendo il almeno un distanziatore del muro laterale ed il photoresist, in cui lo strato stante conforme è formato via il deposito almeno di un residuo organico scelto da C.sub.1 C.sub.8 agli alcani C.sub.2 agli alchenici C.sub.8, C.sub.3 agli cyclo-alchenici C.sub.8, C.sub.4 agli cyclo-alchenici C.sub.8, C.sub.1 agli fluoro-alcani C.sub.8, C.sub.2 agli fluoro-alchenici C.sub.8, C.sub.3 agli cyclofluoro-alcani C.sub.8, C.sub.4 agli cyclofluoro-alchenici C.sub.8, o mescolanze.
