A high speed voltage mode sensing is provided for a digital multibit
non-volatile memory integrated system. An embodiment has a local source
follower stage followed by a high speed common source stage. Another
embodiment has a local source follower stage followed by a high speed
source follower stage. Another embodiment has a common source stage
followed by a source follower. An auto zeroing scheme is used. A capacitor
sensing scheme is used. Multilevel parallel operation is described.
Une sensation à grande vitesse de mode de tension est donnée pour un système intégré numérique de mémoire non-volatile de multibit. Une incorporation a une étape locale de palpeur de source suivie d'une étape à grande vitesse de source commune. Une autre incorporation a une étape locale de palpeur de source suivie d'une étape à grande vitesse de palpeur de source. Une autre incorporation a une étape de source commune suivie d'un palpeur de source. Un arrangement de mise à zéro automatique est employé. Un condensateur sentant l'arrangement est utilisé. L'opération parallèle à multiniveaux est décrite.
