A semiconductor laser device with a spot-size converter includes at least a
semiconductor laser region emitting light from an end facet thereof and a
light waveguide region. The semiconductor laser region and the light
waveguide region are integrated on a semiconductor substrate in a
horizontal direction. A semiconductor layer is buried in a junction region
between the semiconductor laser region and the light waveguide region.
Μια συσκευή λέιζερ ημιαγωγών με έναν μετατροπέα σημείο-μεγέθους περιλαμβάνει τουλάχιστον μια περιοχή λέιζερ ημιαγωγών που εκπέμπει το φως από μια άποψη τελών επ' αυτού και μια ελαφριά περιοχή κυματοδηγού. Η περιοχή λέιζερ ημιαγωγών και η ελαφριά περιοχή κυματοδηγού είναι ενσωματωμένες σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών σε μια οριζόντια κατεύθυνση. Ένα στρώμα ημιαγωγών θάβεται σε μια περιοχή συνδέσεων μεταξύ της περιοχής λέιζερ ημιαγωγών και της ελαφριάς περιοχής κυματοδηγού.
