A radio-frequency power component and a radio-frequency power module, as
well as to methods for producing them are encompassed. The radio-frequency
power component has a semiconductor chip that is suitable for flip chip
mounting. The semiconductor chip has an active upper face that produces
power losses. This active upper face is covered by an electrically
isolating layer leaving free contact surfaces, with a heat-dissipating
metal layer being applied to its upper face. The metal layer directly
dissipates the heat losses from the active semiconductor structures.
Un componente de la energía de la radiofrecuencia y una radiofrecuencia accionan el módulo, tan bien como a los métodos para producirlos se abarcan. El componente de la energía de la radiofrecuencia tiene una viruta del semiconductor que sea conveniente para el montaje de la viruta del tirón. La viruta del semiconductor tiene una cara superior activa que produzca apagones. Esta cara superior activa es cubierta por una capa eléctricamente que aísla que deja superficies de contacto libres, con una capa del metal calor-que se disipa que es aplicada a su cara superior. La capa del metal disipa directamente las pérdidas de calor de las estructuras activas del semiconductor.
