Magnetic memory with reduced write current

   
   

There is provided a magnetic memory including first and second wirings intersecting each other and disposed apart from each other, a magnetoresistance effect film positioned between the first and second wirings, and a first magnetic film including a first portion facing the magnetoresistance effect film with the first wiring interposed therebetween and a pair of second portions positioned on both sides of the first wiring and magnetically connected to the first portion, each of the first and second portions having either one of a high saturation magnetization soft magnetic material containing cobalt and a metal-nonmetal nano-granular film.

Er verstrekt een magnetisch geheugen met inbegrip van eerst en de tweede bedrading worden snijdend elkaar en behalve elkaar geschikt, een magneto-weerstandeffect film die tussen de eerste en tweede bedradingen wordt geplaatst, en een eerste magnetische film met inbegrip van een eerste gedeelte dat de magneto-weerstandeffect film met de eerste ingevoegde bedrading onder ogen ziet therebetween en een paar tweede gedeelten die aan beide kanten van de eerste bedrading worden geplaatst en die magnetisch met het eerste gedeelte worden verbonden, elk van de eerste en tweede gedeelten die één van beide één van een hoog zacht magnetisch materiaal hebben dat van de verzadigingsmagnetisering kobalt en een metal-nonmetal nano-korrelige film bevat.

 
Web www.patentalert.com

< Solution-processed thin film transistor formation method

< Floating chip photonic device and method of manufacture

> Noise reduction technique for transistors and small devices utilizing an episodic agitation

> Method for separating in an aqueous medium lanthanides and/or actinides by combined complexing-nanofiltration, and novel complexing agents therefor

~ 00167