Thermal processing apparatus

   
   

In a thermal processing apparatus irradiating a substrate with light from a lamp for heating the substrate, an opening is formed in a reflector for mounting a camera unit. The camera unit images three portions of an auxiliary ring supporting the substrate, for obtaining the position of the center of the auxiliary ring before the thermal processing apparatus receives the substrate therein. The camera unit further images the substrate for obtaining the position of the center of the substrate before the thermal processing apparatus receives the substrate therein and places the same on the auxiliary ring. The thermal processing apparatus moves the substrate so that the center thereof coincides with the center of the auxiliary ring, and thereafter places the former on the latter. Thus, the auxiliary ring can be so designed as to reduce overlaps of the auxiliary ring and the outer edge of the substrate while the overlaps can be rendered uniform over the entire circumference of the substrate for improving temperature uniformity of the substrate.

In un thermal che procede l'apparecchio che irradia un substrato con luce da una lampada per il riscaldamento del substrato, un'apertura è formata in un riflettore per il montaggio dell'unità della macchina fotografica. Le immagini dell'unità della macchina fotografica tre parti di un anello ausiliario che sostiene il substrato, dato che ottenente la posizione del centro dell'anello ausiliario prima del thermal che procede l'apparecchio riceve il substrato in ciò. Immagini dell'unità della macchina fotografica ulteriori il substrato per ottenere la posizione del centro del substrato prima che il thermal che procede l'apparecchio ricevi il substrato in ciò e disponga lo stesso sull'anello ausiliario. Il thermal che procede l'apparecchio sposta il substrato in modo che il centro di ciò coincida con il centro dell'anello ausiliario e da allora in poi dispone il precedente sul posteriore. Quindi, l'anello ausiliario può essere in modo da progettato quanto a riduca le sovrapposizioni dell'anello ausiliario e del bordo esterno del substrato mentre le sovrapposizioni possono essere uniforme resa sopra l'intera circonferenza del substrato per migliorare l'uniformità di temperatura del substrato.

 
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