A photoresist copolymer is prepared from one or more carboxy-substituted
bicycloalkene monomers, and this copolymer is used to prepare a
photoresist for submicrolithography processes employing deep ultraviolet
(ArF) as a light source. In addition to having high etch resistance and
thermal resistance, the photoresist has good adhesiveness to the substrate
and can be developed in a TMAH solution.
Сополимер фоторезиста подготовлен от one or more чарбохы-zamenennye мономеры bicycloalkene, и этот сополимер использован для того чтобы подготовить фоторезист для процессов submicrolithography используя глубокий ультрафиолетовый луч (ArF) как источник света. В дополнение к иметь высокое сопротивление etch и термально сопротивление, фоторезист имеет хорошую адгезивность к субстрату и может быть превращен в разрешении TMAH.
