A semiconductor device comprises a substantially flat interconnection
substrate having an interconnection pattern formed on a surface thereof. A
semiconductor element is mounted on the substantially flat interconnection
substrate so that an electrode terminal of the semiconductor element is
electrically connected to the interconnection pattern. A heat radiation
plate is formed in a form of a sheet having a concave portion so as to
cover the semiconductor element and is bonded on the surface of the
substantially flat interconnection substrate. An external connection
terminal is formed on the other surface of the substantially flat
interconnection substrate so as to penetrate through the substantially
flat interconnection substrate and be electrically connected to the
interconnection pattern. The heat radiation plate is formed of a
heat-resistant resin containing carbon fibers.
Прибора на полупроводниках состоит из существенн плоского субстрата соединения имея картину соединения сформированную на поверхности thereof. Элемент полупроводника установлен на существенн плоском субстрате соединения так, что стержень электрода элемента полупроводника электрически будет подключен к картине соединения. Плита радиации жары сформирована в форме листа имея вогнутую часть для того чтобы покрыть элемент полупроводника и скреплена на поверхности существенн плоского субстрата соединения. Стержень внешнего соединения сформирован на другой поверхности существенн плоского субстрата соединения для того чтобы прорезать через существенн плоский субстрат соединения и электрически быть соединенным к картине соединения. Плита радиации жары сформирована теплостойкой смолаы содержа волокна углерода.
