A semiconductor memory device having an architecture that allows a user to
change a page length of the semiconductor device. Circuits and methods for
changing a page length of a semiconductor device enable selective
activation of one or more corresponding wordlines (having the same row
address) of memory cell array blocks of a memory cell array to thereby
change the page length according to a specified operational mode.
Eine Halbleiterspeichervorrichtung, die eine Architektur hat, die einem Benutzer erlaubt, eine Seite Länge des Halbleiterelements zu ändern. Stromkreise und Methoden für das Ändern einer Seite Länge eines Halbleiterelements ermöglichen vorgewählter Aktivierung von einer oder von mehr entsprechende wordlines (die gleiche Reihe Adresse habend) der Speicherzelle Reihe Blöcke einer Speicherzelle Reihe, die Seite Länge entsprechend einem spezifizierten funktionsfähigen Modus dadurch zu ändern.
