Method of 193 NM photoresist stabilization by the use of ion implantation

   
   

A method of forming a photoresist includes forming a photoresist and patterning/developing it according to conventional methods. The photoresist is then subjected to ion implantation. The ions may be selected from the group consisting of argon, boron, boron fluoride, arsenic, phosphorous and nitrogen. The ion implantation during processing of the photoresist provides a stabilized photoresist and helps reduce CD loss, loss of the photoresist and formation of pin holes and striations.

Метод формировать фоторезист вклюает формировать фоторезист и patterning/developing оно согласно обычным методам. Фоторезист после этого подвергается к вживлению иона. Ионы могут быть выбраны от аргона группы consist of, бора, фторида бора, мышьяка, фосфористого и азот. Вживление иона во время обрабатывать фоторезиста обеспечивает стабилизированный фоторезист и помощь уменьшает CD потерю, потерю фоторезиста и образование отверстий и striations штыря.

 
Web www.patentalert.com

< Capillary array-based sample screening

< Ink recording element containing stabilized polymeric particles

> Semiconductor device and method of manufacturing the same

> Non-yellowing ortho-dialkyl aryl substituted triazine ultraviolet light absorbers

~ 00168