The present invention relates to a semiconductor device including a high
withstand voltage MOS transistor and a manufacturing method thereof. The
semiconductor device according to the present invention includes a MOS
transistor in which a second-conductivity type source region is formed on
a first-conductivity type semiconductor region, an offset drain region is
interconnected to a second-conductivity type drain region and has a
concentration lower than an impurity concentration of a drain region, the
offset drain region is composed of a portion that does not overlap a
first-conductivity type semiconductor region and a portion that overlaps
part of the surface of the first-conductivity type semiconductor region
and a gate electrode is formed on the surface extending from a channel
region between the source region and the offset drain region to part of
the offset drain region through a gate insulating film.
Thus, there can be obtained an offset drain type MOS transistor having a
stable threshold voltage Vth and a low ON-state resistance.
Присытствыющий вымысел относит к прибора на полупроводниках включая высокий транзистор mos напряжения тока withstand и производственный прочесс thereof. Прибора на полупроводниках согласно присытствыющему вымыслу вклюает транзистор mos в зона источника типа втор-provodimosti сформирована на зоне полупроводника типа перв-provodimosti, смещенная зона стока соединен к зоне стока типа втор-provodimosti и имеет концентрацию более низко чем концентрация примеси зоны стока, смещенная зона стока составлена части которая не перекрывает зону полупроводника типа перв-provodimosti и часть которая перекрывает часть поверхности зоны полупроводника типа перв-provodimosti и электрода строба сформирована на поверхности удлиняя от зоны канала между зоной источника и смещенной зоной стока к части смещенной зоны стока через строб изолируя пленка. Таким образом, можно получить смещенному транзистору mos типа стока имея стабилизированное напряжение тока Vth порога и низкое сопротивление На-polojeni4.
