Semiconductor device manufacturing method thereof

   
   

The present invention relates to a semiconductor device including a high withstand voltage MOS transistor and a manufacturing method thereof. The semiconductor device according to the present invention includes a MOS transistor in which a second-conductivity type source region is formed on a first-conductivity type semiconductor region, an offset drain region is interconnected to a second-conductivity type drain region and has a concentration lower than an impurity concentration of a drain region, the offset drain region is composed of a portion that does not overlap a first-conductivity type semiconductor region and a portion that overlaps part of the surface of the first-conductivity type semiconductor region and a gate electrode is formed on the surface extending from a channel region between the source region and the offset drain region to part of the offset drain region through a gate insulating film. Thus, there can be obtained an offset drain type MOS transistor having a stable threshold voltage Vth and a low ON-state resistance.

Присытствыющий вымысел относит к прибора на полупроводниках включая высокий транзистор mos напряжения тока withstand и производственный прочесс thereof. Прибора на полупроводниках согласно присытствыющему вымыслу вклюает транзистор mos в зона источника типа втор-provodimosti сформирована на зоне полупроводника типа перв-provodimosti, смещенная зона стока соединен к зоне стока типа втор-provodimosti и имеет концентрацию более низко чем концентрация примеси зоны стока, смещенная зона стока составлена части которая не перекрывает зону полупроводника типа перв-provodimosti и часть которая перекрывает часть поверхности зоны полупроводника типа перв-provodimosti и электрода строба сформирована на поверхности удлиняя от зоны канала между зоной источника и смещенной зоной стока к части смещенной зоны стока через строб изолируя пленка. Таким образом, можно получить смещенному транзистору mos типа стока имея стабилизированное напряжение тока Vth порога и низкое сопротивление На-polojeni4.

 
Web www.patentalert.com

< Process for producing gas diffusion electrode and electrochemical device

< Nonaqueous-electrolyte secondary battery

> Crystal layer separation method, laser irradiation method and method of fabricating devices using the same

> Display unit and semiconductor light emitting device

~ 00168