Described herein is an erase method for an electrically erasable
nonvolatile memory device, in particular an EEPROM-FLASH nonvolatile
memory device, comprising a memory array formed by a plurality of memory
cells arranged in rows and columns and grouped in sectors each formed by a
plurality of subsectors, which are in turn formed by one or more rows.
Erase of the memory array is performed by sectors and for each sector
envisages applying an erase pulse to the gate terminals of all the memory
cells of the sector, verifying erase of the memory cells of each
subsector, and applying a further erase pulse to the gate terminals of the
memory cells of only the subsectors that are not completely erased.
É descrito nisto um método do apagamento para um dispositivo de memória permanente eletricamente apagável, no detalhe um dispositivo de memória permanente de EEPROM-FLASH, compreendendo uma disposição da memória dada forma por um plurality das pilhas de memória arranjadas nas fileiras e nas colunas e agrupadas nos setores cada um dado forma por um plurality dos subsectors, que por sua vez são dados forma por um ou mais fileira. Apague da disposição da memória é executado por setores e para cada setor envisages aplicar um pulso do apagamento aos terminais da porta de todas as pilhas de memória do setor, verificando apague das pilhas de memória de cada subsector, e aplicando-se um mais adicional apaga o pulso aos terminais da porta das pilhas de memória somente dos subsectors que não são apagados completamente.
