A semiconductor memory device includes a first memory cell block capable of
rewriting data and having at least one first memory cell, and a second
memory cell block capable of rewriting data and having at least one second
memory cell adjoining the first memory cell. A data writing method for the
semiconductor memory device includes writing data into the first memory
cell, writing data into the second memory cell following writing the data
into the first memory cell, verifying the data of the first memory cell
after writing the data into the second memory cell, and rewriting the data
into the first memory cell when insufficiency of the data of the first
memory cell as a result of verifying the data of the first memory cell.
Un dispositivo de memoria de semiconductor incluye un primer bloque de la célula de memoria capaz reescribir datos y de tener por lo menos una primera célula de memoria, y un segundo bloque de la célula de memoria capaz reescribir datos y de tener por lo menos una segundo célula de memoria el colindar de la primera célula de memoria. Un método de la escritura de los datos para el dispositivo de memoria de semiconductor incluye los datos en la primera célula de memoria, datos de la escritura de la escritura en la segunda célula de memoria después de escribir los datos en la primera célula de memoria, verificando los datos de la primera célula de memoria después de escribir los datos en la segunda célula de memoria, y de reescribir los datos en la primera célula de memoria cuando escasez de los datos de la primera célula de memoria como resultado de verificar los datos de la primera célula de memoria.
