A pinned/pinning layer configuration of the form: AP1/coupling
bilayer/AP2/AFM, suitable for use in a CIP or CPP GMR sensor, a TMR sensor
or an MRAM element, is found to have improved magnetic stability, yield
good values of dR/R and have high values of saturation magnetization that
can be adjusted to meet the requirements of magnetic field annealing. The
coupling bilayer is a layer of Ru/Rh or their alloys, which provides a
wide range of coupling strengths by varying either the thickness of the Ru
layer or the Rh layer.
Καρφωμένη/ανάρτηση της διαμόρφωσης στρώματος της μορφής: Το AP1/coupling bilayer/AP2/AFM, κατάλληλο για τη χρήση σε έναν CIP ή CPP GMR αισθητήρα, ένας αισθητήρας TMR ή ένα στοιχείο MRAM, βρίσκεται για να βελτιώνει τη μαγνητική σταθερότητα, να παράγει τις καλές τιμές dR/R και να έχει τις υψηλές τιμές της μαγνήτισης κορεσμού που μπορούν να ρυθμιστούν για να καλύψουν τις απαιτήσεις της ανόπτησης μαγνητικών πεδίων. Η σύζευξη bilayer είναι ένα στρώμα του RU/$l*rh ή των κραμάτων τους, το οποίο παρέχει ένα ευρύ φάσμα των δυνάμεων συζεύξεων με την ποικιλία είτε του πάχους του στρώματος RU είτε του rh στρώματος.
