An improved transistor structure that decreases source/drain (S/D)
resistance without increasing gate-to-S/D capacitance, thereby increasing
device operation. S/D structures are formed into recesses formed on a
semiconductor wafer through a semiconductor layer and a first layer of a
buried insulator having at least two layers. A body is formed from the
semiconductor layer situated between the recesses, and the body comprises
a top body surface and a bottom body surface that define a body thickness.
Top portions of the S/D structures are within and abut the body thickness.
An improved method for forming the improved transistor structure is also
described and comprises: forming recesses through a semiconductor layer
and a first layer of a buried insulator so that a body is situated between
the recesses; and forming S/D structures into the recesses so that top
portions of the S/D structures are within and abut a body thickness.
Una struttura migliorata del transistore che fa diminuire la resistenza di source/drain (S/D) senza aumentare la capacità di gate-to-S/D, quindi aumentante funzionamento del dispositivo. Le strutture di S/D sono formate negli incavi formati su una cialda a semiconduttore con uno strato a semiconduttore e un primo strato di un isolante sepolto che ha almeno due strati. Un corpo è formato dallo strato a semiconduttore situato fra gli incavi ed il corpo contiene una superficie superiore del corpo e una superficie inferiore del corpo che definiscono uno spessore del corpo. Le parti superiori delle strutture di S/D sono dentro ed intestano lo spessore del corpo. Un metodo migliorato per formare la struttura migliorata del transistore inoltre è descritto e contiene: formare mette con uno strato a semiconduttore e un primo strato di un isolante sepolto in moda da situare un corpo fra gli incavi; e formando le strutture di S/D negli incavi in modo che le parti superiori delle strutture di S/D siano dentro ed intestino uno spessore del corpo.
