Five circuit topologies of Voltage-Controlled Oscillators with Single
Inductor (VCO-1L) are proposed. They offer lower power consumption, higher
output amplitude, broader tuning range, cleaner s-rum and higher frequency
stability seen as lower phase-noise. Most of the achievements are based on
the development of active pull-down control circuitries of the timing and
active charge dissipation in the transistors. The applications of the
present invention are of critical importance for wireless communication
systems not allowing any limitations in the frequency range. Among them
are base stations and mobile terminals mobile phones, GSM, PCS/DCS, W-CDMA
etc., as well BlueTooth, Wireless LAN, Automotive and ISM band etc. The
advanced performance of the circuits is based on important architectural
specifics and proven by simulation on advanced CMOS process. The
architectures are not limited to use on CMOS; they can be efficiently used
in any semiconductor process where complimentary polarity transistors are
available, for example BiCMOS, SiGe/BiCMOS, GaAs etc.
Fünf Stromkreistopologien der Spannung-Kontrollierten Oszillatoren mit einzelner Drosselspule (VCO-1L) werden vorgeschlagen. Sie bieten die unterere Leistungsaufnahme, höheren Ausgang Umfang, ausgedehntere abstimmende Strecke, saubereren Srum und die Stabilität der höheren Frequenz an, die als niedrigere Phase-Geräusche gesehen wird. Die meisten Ausführungen basieren auf der Entwicklung der aktiven pull-down Steuerschaltkreise des TIMINGS und aktiven der Aufladung Ableitung in den Transistoren. Die Anwendungen der anwesenden Erfindung sind vom kritischen Wert für die drahtlosen Kommunikationssysteme, die keine Beschränkungen im Frequenzbereich erlauben. Unter ihnen sind niedrige Stationen und bewegliche Telefone der beweglichen Anschlüß, G/M, PCS/DCS, W-CDMA etc., außerdem BlueTooth, drahtloses LAN, Automobil- und ISM Band usw.. Die vorgerückte Leistung der Stromkreise wird basiert auf wichtigen architektonischen Besonderen und durch Simulation auf vorgerücktem CMOS Prozeß nachgewiesen. Die Architektur wird nicht begrenzt, um auf CMOS zu verwenden; sie können in jedem möglichem Halbleiterprozeß leistungsfähig benutzt werden, in dem höfliche Polarität Transistoren vorhanden sind, z.B. BiCMOS, SiGe/BiCMOS, GaAs usw..
