The invention relates generally to lithographic patterning of very small
features. In particular, the invention relates generally to patterning of
semiconductor circuit features smaller than lithographically defined using
either conventional optical lithography or next generation lithography
techniques. The invention relates more particularly, but not by way of
limitation, to lateral trimming of photoresist images.
Η εφεύρεση αφορά γενικά τη λιθογραφική διαμόρφωση των πολύ μικρών χαρακτηριστικών γνωρισμάτων. Ειδικότερα, η εφεύρεση αφορά γενικά τη διαμόρφωση των χαρακτηριστικών γνωρισμάτων κυκλωμάτων ημιαγωγών μικρότερων από lithographically καθορισμένη τεχνικές χρησιμοποιώντας είτε τις συμβατικές οπτικές της λιθογραφίας είτε λιθογραφίας επόμενης γενεάς. Η εφεύρεση αφορά ειδικότερα, αλλά όχι μέσω του περιορισμού, την πλευρική τακτοποίηση photoresist των εικόνων.
