A method and apparatus for microlithography. The method and apparatus
include optimizing illumination modes based on characteristics of a
specific mask pattern. The illumination is optimized by determining an
appropriate illumination mode based on diffraction orders of the reticle,
and the autocorrelation of the projection optic. By elimination of parts
of the illumination pattern which have no influence on modulation, excess
DC light can be reduced, thereby improving depth of focus. Optimization of
mask patterns includes addition of sub-resolution features to reduce
pitches and discretize the probability density function of the space
width.
Eine Methode und ein Apparat für microlithography. Die Methode und die Apparate schließen die optimierenablichtung Modi ein, die auf Eigenschaften einer spezifischen Maskenvorlage basieren. Die Ablichtung wird durch die Bestimmung eines passenden Ablichtung Modus optimiert, der auf Beugungaufträgen des Reticle basiert, und die Autokorrelation der Optik Projektion. Durch Beseitigung der Teile des Ablichtung Musters, die keinen Einfluß auf Modulation haben, kann überschüssiges DC Licht verringert werden, dadurch esverbessert esverbessert Tiefe des Fokus. Optimierung der Maskenvorlagen schließt Hinzufügung der Vor-Auflösung Eigenschaften ein, um Taktabstände zu verringern und discretize die Wahrscheinlichkeit Dichtefunktion der Raumbreite.
