A monolithic integrated optical component includes a control transistor
connected to an electro-optical component including an active waveguide
and at least one input waveguide and one output waveguide. The transistor
is a heterojunction bipolar transistor including at least one
sub-collector layer that is common to a confinement layer of the
electro-optical component. The active waveguide of the electro-optical
component includes a widened structure under a contact area of the
heterojunction bipolar transistor and having substantially the same
surface area as the transistor.
Een monolithische geïntegreerde optische component omvat een controletransistor die met een elektro-optische component met inbegrip van een actieve golfgeleider en minstens één ingevoerde golfgeleider en één outputgolfgeleider wordt verbonden. De transistor is een heterojunction bipolaire transistor met inbegrip van minstens één sub-collectorlaag die voor een beperkingslaag van de elektro-optische component gemeenschappelijk is. De actieve golfgeleider van de elektro-optische component omvat een verwijde structuur onder een contactgebied van de heterojunction bipolaire transistor en wezenlijk het hebben van de zelfde oppervlakte zoals de transistor.
