Data output circuit in combined SDR/DDR semiconductor memory device

   
   

A data output circuit includes first, second, third, and fourth data latches, and first and second data output drivers. The first, second, third, and fourth latches generate first pull-up signals, second pull-up signals, first pull-down signals, and second pull-down signals, respectively. In DDR mode, first and third latches latch even data in response to an even clock, while second and fourth latches latch odd data in response to an odd clock. In SDR mode, first and third latches latch first data in response to a data output clock, while second and fourth latches latch second data in response to the data output clock. The first and second data output drivers drive a first and second output pad, respectively, to predetermined voltages in response to the pull-up signals and the pull-down signals. The data output circuit reduces the number of data buffers, reducing the size of a semiconductor memory device.

Een kring van de gegevensoutput omvat eerst, tweede, derde, en vierde gegevensklinken, en eerst en de tweede bestuurders van de gegevensoutput. De eerste, tweede, derde, en vierde klinken produceren eerste pull-up signalen, tweede pull-up signalen, eerste pull-down signalen, en tweede pull-down signalen, respectievelijk. In de wijze van Ddr, en derde klinken sluit eerst zelfs gegevens in antwoord op een gelijke klok, terwijl de tweede en vierde klinken oneven gegevens in antwoord op een oneven klok sluiten. In de wijze van STR, eerst en derde klinken klokken de klink eerste gegevens in antwoord op een gegevensoutput, terwijl de tweede gegevens van de tweede en vierde klinkenklink in antwoord op de gegevensoutput klokken. De eerste en tweede bestuurders van de gegevensoutput drijven een eerste en tweede outputstootkussen, respectievelijk, aan vooraf bepaalde voltages in antwoord op de pull-up signalen en de pull-down signalen. De kring van de gegevensoutput vermindert het aantal gegevensbuffers, die de grootte van een apparaat van het halfgeleidergeheugen verminderen.

 
Web www.patentalert.com

< System board

< Multi-level flash memory with temperature compensation

> System and method for rapid text entry in telephone

> Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

~ 00169