A method is provided for forming a wafer stack. This may include providing
a first wafer having a first plurality of metalized trenches on a surface
of the first wafer. A second wafer may be provided having a second
plurality of metalized trenches on a surface of the second wafer facing
the first wafer. The first plurality of metalized trenches may be solder
bonded to the second plurality of metalized trenches.
Un metodo è fornito per formare una pila della cialda. Ciò può includere fornire una prima cialda che ha una prima pluralità di trincee metallizzate su una superficie della prima cialda. Una seconda cialda può essere fornita avendo una seconda pluralità di trincee metallizzate su una superficie della seconda cialda che affronta la prima cialda. La prima pluralità di trincee metallizzate può essere saldatura legata alla seconda pluralità di trincee metallizzate.
