Silicon-germanium-based compositions comprising silicon, germanium, and
carbon (i.e., Si--Ge--C), methods for growing Si--Ge--C epitaxial layer(s)
on a substrate, etchants especially suitable for Si--Ge--C etch-stops, and
novel methods of use for Si--Ge--C compositions are provided. In
particular, the invention relates to Si--Ge--C compositions, especially
for use as etch-stops and related processes and etchants useful for
microelectronic and nanotechnology fabrication.
De op silicium-germanium-gebaseerde samenstellingen die uit silicium, germanium, en koolstof (d.w.z., Si -- Duitsland bestaan -- C), methodes om Si te kweken -- Duitsland -- epitaxial laag van C (s) op een substraat, etchants vooral geschikt voor Si -- Duitsland -- C etsen-einden, en nieuwe methodes van gebruik voor Si -- Duitsland -- worden de samenstellingen van C verstrekt. In het bijzonder heeft de uitvinding op Si betrekking -- Duitsland -- de samenstellingen van C, vooral voor gebruik als etsen-einden en verwante processen en etchants nuttig voor micro-electronische en nanotechnologievervaardiging.
