A nitride semiconductor element exhibiting low leakage current and high ESD
tolerance includes an active layer of nitride semiconductor that is
interposed between a p-sided layer and an n-sided layer, which
respectively consist of a plurality of nitride semiconductor layers, the
p-side layer including a p-type contact layer as a layer for forming
p-ohmic electrodes, the p-type contact layer being formed by laminating
p-type nitride semiconductor layers and n-type nitride semiconductor
layers in an alternate manner.
Элемент полупроводника нитрида exhibiting низкий допуск утечки в настоящее время и высокий ESD вклюает активно слой полупроводника нитрида interposed между, котор п-vstali на сторону слоем и, котор н-vstali на сторону слоем, который соответственно состоят множественности слоев полупроводника нитрида, слоя п-storony включая слой контакта п-tipa как слой для формировать п-omovskie электроды, слой контакта п-tipa будучи сформированными путем прокатывая слои полупроводника нитрида п-tipa и слои полупроводника нитрида н-tipa в другом образе.
