Silicon-germanium-based compositions comprising silicon, germanium, and
carbon (i.e., Si--Ge--C), methods for growing Si--Ge--C epitaxial
layer(s) on a substrate, etchants especially suitable for Si--Ge--C
etch-stops, and novel methods of use for Si--Ge--C compositions are
provided. In particular, the invention relates to Si--Ge--C compositions,
especially for use as etch-stops and related processes and etchants
useful for microelectronic and nanotechnology fabrication.
compositions Silicium-germanium-basées comportant le silicium, le germanium, et le carbone (c.-à-d., le silicium -- GE -- C), méthodes pour accroître le silicium -- GE -- layer(s) épitaxial de C sur un substrat, etchants particulièrement appropriés au silicium -- GE -- C graver à l'eau-forte-s'arrête, et des méthodes de roman d'utilisation pour le silicium -- GE -- des compositions en C sont fournies. En particulier, l'invention concerne le silicium -- GE -- des compositions en C, particulièrement pour l'usage comme graver à l'eau-forte-s'arrête et les processus relatifs et etchants utiles pour la fabrication microélectronique et de nanotechnology.
