The present invention is to improve yield and reliability in a wiring step
of a semiconductor device. When an Al wiring on an upper layer is
connected through an connection pillar onto an Al wiring on a lower layer
embedded in a groove formed on an interlayer insulation film, a growth
suppression film having an opening whose width is wider than that of the
Al wiring is formed on the interlayer insulation film and the Al wiring.
In this condition, Al and the like are grown by a selective CVD method and
the like. Accordingly, the connection pillar is formed on the Al wiring
within the opening, in a self-matching manner with respect to the Al
wiring.
Η παρούσα εφεύρεση είναι να βελτιωθεί η παραγωγή και η αξιοπιστία σε ένα βήμα καλωδίωσης μιας συσκευής ημιαγωγών. Όταν μια καλωδίωση Al σε ένα ανώτερο στρώμα συνδέεται μέσω ενός στυλοβάτη σύνδεσης επάνω σε μια καλωδίωση Al σε ένα χαμηλότερο στρώμα που ενσωματώνεται σε ένα αυλάκι που διαμορφώνεται σε μια ταινία μόνωσης ενδιάμεσων στρωμάτων, μια ταινία καταστολής αύξησης που έχει ένα άνοιγμα ποιου πλάτος είναι ευρύτερο από αυτό του Al που συνδέει με καλώδιο διαμορφώνεται στην ταινία μόνωσης ενδιάμεσων στρωμάτων και την καλωδίωση Al. Σε αυτόν τον όρο, το Al και οι όμοιοι αυξάνονται με μια εκλεκτική cvd μέθοδο και τους ομοίους. Συνεπώς, ο στυλοβάτης σύνδεσης διαμορφώνεται στην καλωδίωση Al μέσα στο άνοιγμα, με έναν μόνος-ταιριάζοντας με τρόπο όσον αφορά την καλωδίωση Al.
