A magnetoresistive device (11) having a lateral structure and provided with
a non-magnetic spacer layer (3) of organic semiconductor material allows
the presence of an additional electrode (19). With this electrode (19), a
switch-function is integrated into the device (11). Preferably,
electrically conductive layers (13,23) are present for the protection of
the ferromagnetic layers (1,2). The magnetoresistive device (11) is
suitable for integration into an array so as to act as an MRAM device.
Магниторезистивное приспособление (11) имея боковую структуру и при условии с немагнитным слоем прокладки (3) из органического материала полупроводника позволяет присутсвие дополнительного электрода (19). С этим электродом (19), переключател-funkqi4 интегрирована в приспособление (11). Предпочтительн, электрически проводные слои (13.23) присутствуют для предохранения сегнетомагнитных слоев (1.2). Магниторезистивное приспособление (11) целесообразно для внедрения в блок для того чтобы подействовать как приспособление MRAM.
