A laser and method for making the same are disclosed. The laser includes a
p-layer, an n-layer, and an active region located between the p-layer and
the n-layer. The active region includes a quantum well layer sandwiched
between first and second barrier layers. The quantum well layer includes
an InP-based material. The first and second barrier layers also include an
InP-based material. The barrier layers are homogeneous layers of the
InP-based material. The barrier layers are preferably deposited by
chemical vapor deposition from precursors that include a surfactant
element that inhibits the formation of P--P dimers on a surface of the
barrier layer during the deposition process. In one embodiment, the
surfactant element is chosen from the group consisting of Sb, Si, and Te,
and the barrier material includes InGaP or AlInP.
Ένα λέιζερ και μια μέθοδος για το ίδιο πράγμα αποκαλύπτονται. Το λέιζερ περιλαμβάνει έναν φορέα, ένα ν-στρώμα, και μια ενεργό περιοχή που βρίσκεται μεταξύ του φορέα και του ν-στρώματος. Η ενεργός περιοχή περιλαμβάνει ένα κβαντικό καλά στρώμα που στριμώχνονται μεταξύ πρώτα και τα δεύτερα στρώματα εμποδίων. Το κβαντικό καλά στρώμα περιλαμβάνει ένα ηνΠ-βασισμένο υλικό. Τα πρώτα και δεύτερα στρώματα εμποδίων περιλαμβάνουν επίσης ένα ηνΠ-βασισμένο υλικό. Τα στρώματα εμποδίων είναι ομοιογενή στρώματα του ηνΠ-βασισμένου υλικού. Τα στρώματα εμποδίων κατατίθενται κατά προτίμηση από την απόθεση χημικού ατμού από τους προδρόμους που περιλαμβάνουν ένα στοιχείο μέσων επιπολής που εμποδίζει το σχηματισμό dimers PP σε μια επιφάνεια του στρώματος εμποδίων κατά τη διάρκεια της διαδικασίας απόθεσης. Σε μια ενσωμάτωση, το στοιχείο μέσων επιπολής επιλέγεται από την ομάδα που αποτελείται από το Sb, το Si, και Te, και το υλικό εμποδίων περιλαμβάνει InGaP ή AlInP.
