A memory cell is provided with a pair of electrodes, and an active layer
sandwiched between the electrodes and including a molecular system and
ionic complexes distributed in the molecular system. The active layer
having a high-impedance state and a low-impedance state switches from the
high-impedance state to the low-impedance state when an amplitude of a
writing signal exceeds a writing threshold level, to enable writing
information into the memory cell. The active layer switches from the
low-impedance state to the high-impedance state when an amplitude of an
erasing signal having opposite polarity with respect to the writing signal
exceeds an erasing threshold level, to enable erasing information from the
memory cell.
Una célula de memoria se proporciona un par de electrodos, y una capa activa intercalada entre los electrodos e incluir un sistema molecular y los complejos iónicos distribuidos en el sistema molecular. La capa activa que tiene un estado high-impedance y una bajo-impedancia indican los interruptores del estado high-impedance al estado de la bajo-impedancia cuando una amplitud de una señal de escritura excede un límite de alarma de la escritura, para permitir la información de la escritura en la célula de memoria. La capa activa cambia del estado de la bajo-impedancia al estado high-impedance cuando una amplitud de una señal que borra que tiene enfrente de polaridad con respecto a la señal de escritura excede un límite de alarma que borra, para permitir borrar la información de la célula de memoria.
