To transfer signal charges at high speed with small noise, there is
provided a charge transfer apparatus including a semiconductor substrate
of one conductivity type, a charge transfer region of a conductivity type
opposite to that of the semiconductor substrate that is formed in the
semiconductor substrate and joined to the semiconductor substrate to form
a diode, a signal charge input portion which inputs a signal charge to the
charge transfer region, a signal charge output portion which accumulates
the signal charge transferred from the charge transfer region, and a
plurality of independent potential supply terminals which supply a
potential gradient to the semiconductor substrate, wherein the signal
charge in the charge transfer region is transferred by the potential
gradient formed by the plurality of potential supply terminals.
Para transferir cargas de la señal en la velocidad con ruido pequeño, se proporciona un aparato de la transferencia de la carga incluyendo un substrato de un tipo de la conductividad, una región del semiconductor de la transferencia de la carga de un tipo de la conductividad opuesto a el del substrato del semiconductor que se forma en el substrato del semiconductor y se ensambla al substrato del semiconductor a la forma un diodo, una porción de la entrada de la carga de la señal que entre una carga de la señal a la región de la transferencia de la carga, a una porción de la salida de la carga de la señal que acumule la carga de la señal transferida de la región de la transferencia de la carga, y a una pluralidad de terminales potenciales independientes de la fuente que provean un gradiente potencial al substrato del semiconductor, en donde la carga de la señal en la región de la transferencia de la carga es transferido por el gradiente potencial formado por la pluralidad de terminales potenciales de la fuente.
