A semiconductor laser has an active region which includes at least a
quantum well layer and upper and lower optical waveguide layers and is of
In.sub.x Ga.sub.1-x As.sub.y P.sub.1-y (0.ltoreq.x.ltoreq.1,
0.ltoreq.y.ltoreq.1). Upper and lower AlGaAs cladding layers are formed on
opposite sides of the active region. At least one of the optical waveguide
layers is not smaller than 0.25 .mu.m in thickness, and a part of the
upper cladding layer on the upper optical waveguide layer is selectively
removed up to the interface of the upper cladding layer and the upper
optical waveguide layer.
Un laser de semi-conducteur a une région active qui inclut au moins une couche de puits de quantum et le guide d'ondes optique supérieur et inférieur pose et est d'In.sub.x Ga.sub.1-x As.sub.y P.sub.1-y (0.ltoreq.x.ltoreq.1, 0.ltoreq.y.ltoreq.1). Des couches supérieures et inférieures de revêtement d'AlGaAs sont formées des côtés opposés de la région active. Au moins une des couches optiques de guide d'ondes n'est pas plus petite que 0.25 mu.m d'épaisseur, et une partie de la couche supérieure de revêtement sur la couche optique supérieure de guide d'ondes est sélectivement enlevée jusqu'à l'interface de la couche supérieure de revêtement et de la couche optique supérieure de guide d'ondes.
