A hybrid magnetic--semiconductor structure can be used as a memory element
for the nonvolatile storage of digital information, as well as in other
environments, including for example logic applications for performing
digital combinational tasks, or a magnetic field sensor. The hybrid device
uses ferromagnetic materials for implementing a variable spin resistance.
The ferromagnetic layers are fabricated to permit the device to have two
stable magnetization states, parallel and antiparallel. In the "on" state
the device has two settable, stable resistance states determined by the
relative orientation of the magnetizations of the ferromagnetic layers. An
external magnetic field can change the magnetization state of the device
by orienting the magnetization of the ferromagnetic layers to be parallel
or antiparallel, thus changing the resistance of the device to a current
of spin polarized electrons.
Un magnetico ibrido -- la struttura a semiconduttore può essere usata come elemento di memoria per l'immagazzinaggio non volatile delle informazioni digitali, così come in altri ambienti, includenti per esempio le applicazioni di logica per l'effettuazione delle mansioni combinabili digitali, o un sensore del campo magnetico. Il dispositivo ibrido usa i materiali ferromagnetici per effettuare una resistenza variabile di rotazione. Gli strati ferromagnetici sono fabbricati per consentire il dispositivo di avere magnetizzazione delle due scuderie dichiara, parallelo ed antiparallel. In "on" dichiari il dispositivo ha due settable, resistenza stabile dichiara risoluto dall'orientamento relativo delle magnetizzazioni degli strati ferromagnetici. Un campo magnetico esterno può cambiare la magnetizzazione dichiara del dispositivo orientando la magnetizzazione degli strati ferromagnetici per essere parallelo o del antiparallel, così cambiando la resistenza del dispositivo ad una corrente degli elettroni polarizzati la rotazione.
