The invention relates to a method of forming a semiconductor component
comprising the steps of:
providing a semiconductor substrate,
forming a pattern of pores in the semiconductor substrate, the pores having
a first depth,
photoassisted wet etching of the substrate for etching of the pores to a
second depth, the second depth being substantially greater than the first
depth.
De uitvinding heeft op een methode om een halfgeleidercomponent te vormen bestaand betrekking uit de stappen van: verstrekkend een halfgeleidersubstraat, dat een patroon van poriën in het halfgeleidersubstraat vormt, photoassisted de poriën die een eerste diepte hebben, natte ets van het substraat voor ets van de poriën aan een tweede diepte, de tweede diepte die wezenlijk groter dan de eerste diepte is.
