A plating apparatus is provided to allow the whole area of a target plating
surface of a wafer to be subjected to more uniform plating treatment and
moreover enables a target plating surface of a wider area to be subjected
to positive and uniform plating treatment. In the plating apparatus which
has a stirring bar within a plating tank and which performs plating
treatment of a target plating surface of the wafer while stirring a
plating solution near the target plating surface of the wafer by moving
the stirring bar, the stirring bar is rotated while being oscillated in a
motion plane substantially parallel to the target plating surface of the
wafer. By this operation, the occurrence of an eddy flow of the plating
solution is suppressed during stirring and it becomes possible to
positively carry out more uniform plating treatment of a wider region.
Um instrumento do chapeamento é fornecido para permitir que a área inteira de uma superfície de chapeamento do alvo de um wafer seja sujeitada a um tratamento mais uniforme do chapeamento e além disso permite uma superfície de chapeamento do alvo de uma área mais larga de ser sujeitado ao tratamento positivo e uniforme do chapeamento. No instrumento do chapeamento que tem uma barra agitando dentro de um tanque do chapeamento e que execute o tratamento do chapeamento de uma superfície de chapeamento do alvo do wafer ao agitar uma solução chapeando perto da superfície de chapeamento do alvo do wafer se movendo a barra agitando, a barra agitando é girada ao ser oscilado em um plano do movimento substancialmente paralelo à superfície de chapeamento do alvo do wafer. Por esta operação, a ocorrência de um fluxo do eddy da solução do chapeamento é suprimida durante agitar e torna-se possível realizar positivamente um tratamento mais uniforme do chapeamento de uma região mais larga.
