Specific embodiments of the invention provide a silicon-carbide-type or
silicon oxycarbide (also often called carbon-doped-oxide [CDO] or
organosilicate glass) capping material and method for depositing this
capping material on ELK films which are used as a dielectric material in
integrated circuits. The ELK film may include any ELK film including but
not limited to inorganic, organic and hybrid dielectric materials and
their respective porous versions. The silicon-carbide-type material may be
an amorphous silicon carbide type material such as the commercially
available BLOk.TM. material, or a carbon-doped oxide material such as the
commercially available Black Diamond.TM. both of which are developed by
Applied Materials of Santa Clara, Calif. The amorphous silicon carbide
(a-SiC) material is deposited using a plasma process in a non-oxidizing
environment and the CDO-type material is deposited using an oxygen-starved
plasma process. The non-oxidative or oxygen-starved plasma processes do
not significantly degrade the underlying film's chemical and electrical
properties. The CDO material offers the advantageous property of having a
lower dielectric constant value of less than 3.5 as opposed to the a-SiC
material which has a dielectric constant of approximately 4.5. The CDO
material besides, having a lower dielectric constant also has a superior
adhesion characteristics to the underlying ELK material. However,
experiments have indicated that despite its higher dielectric constant,
the a-SiC-type material (e.g. BLOk.TM.) may be used to generate capped ELK
films with similar or even reduced dielectric constants relative to lower
k capped films, and may provide composite (i.e. ELK+cap) structures
exhibiting superior k stability.
As incorporações específicas da invenção fornecem um material e o método tampando do oxycarbide do silicone-carbide-tipo ou do silicone (também chamado frequentemente carbono-doped-óxido [ CDO ] ou vidro do organosilicate) depositando este material tampando nas películas dos ALCES que são usadas como um material dieléctrico em circuitos integrados. A película dos ALCES pode incluir toda a película dos ALCES que inclui mas não limitada aos materiais dieléctricos inorgánicos, orgânicos e hybrid e a suas versões porosas respectivas. O silicone-carbide-tipo material pode ser um tipo amorfo material do carbide do silicone tal como o material comercialmente disponível de BLOk.TM., ou um material carbono-carbon-doped do óxido tal como o preto comercialmente disponível Diamond.TM. ambos que são desenvolvidos por materiais aplicados de Santa Clara, Calif. O material amorfo do carbide do silicone (a-SiC) é depositado usando um processo do plasma em um ambiente deoxidação e o material de CDO-type é depositado usando um processo oxigênio-oxygen-starved do plasma. Os processos non-non-oxidative ou oxigênio-oxygen-starved do plasma não degradam significativamente o produto químico e as propriedades elétricas da película subjacente. O material de CDO oferece a propriedade vantajosa de ter um valor mais baixo da constante dieléctrica menos de de 3.5 ao contrário do material do a-SiC que tem uma constante dieléctrica de aproximadamente 4.5. O material de CDO adicionalmente, tendo uma constante dieléctrica mais baixa tem também características de uma adesão do superior ao material subjacente dos ALCES. Entretanto, as experiências indicaram que apesar de sua constante dieléctrica mais elevada, o um-SiC-tipo material (por exemplo BLOk.TM.) pode ser usado gerar películas tampadas dos ALCES com similar ou mesmo películas tampadas k mais baixas relative.to reduzidas das constantes dieléctricas, e pode fornecer (isto é) as estruturas ELK+cap compostas exibir a estabilidade superior de k.
