A separator layer of Ti is formed on an auxiliary substrate of sapphire or
the like. An undercoat layer of TiN is formed on the separator layer. The
undercoat layer is provided so that a Group III nitride compound
semiconductor layer can be grown with good crystallinity on the undercoat
layer. TiN is sprayed on the undercoat layer to form a thermal spray
depositing layer. Then, the separator layer is chemically etched to reveal
the undercoat layer. Then, a Group III nitride compound semiconductor
layer is grown on a surface of the undercoat layer.
Een separatorlaag van Ti wordt gevormd op een hulpsubstraat van saffier of dergelijke. Een undercoatlaag van TiN wordt gevormd op de separatorlaag. De undercoatlaag wordt verstrekt zodat een Groep III de halfgeleiderlaag van de nitridesamenstelling met goede kristalliniteit op de undercoatlaag kan worden gekweekt. TiN wordt bespoten op de undercoatlaag om een thermische nevel het deponeren laag te vormen. Dan, wordt de separatorlaag chemisch geëtst om de undercoatlaag te openbaren. Dan, wordt een Groep III de halfgeleiderlaag van de nitridesamenstelling gekweekt op een oppervlakte van de undercoatlaag.
