A method of performing irradiation of laser light is given as a method of
crystallizing a semiconductor film. However, if laser light is irradiated
to a semiconductor film, the semiconductor film is instantaneously melted
and expands locally. The temperature gradient between a substrate and the
semiconductor film is precipitous, distortions may develop in the
semiconductor film. Thus, the film quality of the crystalline
semiconductor film obtained will drop in some cases. With the present
invention, distortions of the semiconductor film are reduced by heating
the semiconductor film using a heat treatment process after performing
crystallization of the semiconductor film using laser light. Compared to
the localized heating due to the irradiation of laser light, the heat
treatment process is performed over the entire substrate and semiconductor
film. Therefore, it is possible to reduce distortions formed in the
semiconductor film and to increase the physical properties of the
semiconductor film.
Un metodo di effettuazione dell'irradiazione della luce di laser è dato come metodo di cristallizzazione della pellicola a semiconduttore. Tuttavia, se la luce di laser è irradiata ad una pellicola a semiconduttore, la pellicola a semiconduttore istantaneamente è fusa e si espande localmente. La pendenza di temperatura fra un substrato e la pellicola a semiconduttore è brusca, distorsioni può svilupparsi nella pellicola a semiconduttore. Quindi, la qualità della pellicola della pellicola cristallina a semiconduttore ottenuta cadrà in alcuni casi. Con la presente invenzione, le distorsioni della pellicola a semiconduttore sono ridotte riscaldando la pellicola a semiconduttore usando un processo di trattamento termico dopo l'effettuazione della cristallizzazione della pellicola a semiconduttore usando la luce di laser. Confrontato al riscaldamento localizzato dovuto l'irradiazione della luce di laser, il processo di trattamento termico è realizzato sopra l'intera pellicola a semiconduttore e del substrato. Di conseguenza, è possibile ridurre le distorsioni formate nella pellicola a semiconduttore ed aumentare le proprietà fisiche della pellicola a semiconduttore.
