A resin-dispersed organic semiconductor layer (3) is formed on a lower
electrode (2) of an ITO transparent electrode formed on a glass substrate
(1). An upper electrode (4) of a gold deposited film is formed on the
resin-dispersed organic semiconductor layer (3). The resin-dispersed
organic semiconductor layer (3) is formed by spin-coating a dispersion
liquid prepared by mixing a perylene pigment and polycarbonate in a THF
solvent and drying the coating. By applying a voltage by means of the
electrodes (2, 4) and by irradiating the resin-dispersed organic
semiconductor layer (3) with light, a multiplied light irradiation-induced
current flows.
Une couche organique résine-dispersée de semi-conducteur (3) est formée sur une électrode inférieure (2) d'une électrode transparente d'ITO formée sur un substrat de verre (1). Une électrode supérieure (4) d'un or film déposé est formée sur la couche organique résine-dispersée de semi-conducteur (3). La couche organique résine-dispersée de semi-conducteur (3) est constituée tourner-en enduisant un liquide de dispersion préparé en mélangeant un colorant et un polycarbonate de perylene dans un dissolvant et le séchage de THF l'enduit. En appliquant une tension à l'aide des électrodes (2, 4) et en irradiant la couche organique résine-dispersée de semi-conducteur (3) avec la lumière, un courant induit par irradiation léger multiplié coule.
