A semiconductor device comprising an SOI substrate fabricated by forming a
silicon layer 3 on an insulating layer 2, a plurality of active regions 3
horizontally arranged in the silicon layer 3, and element isolating parts
5 having a trench-like shape which is made of an insulator 5 embedded
between the active regions 3 in the silicon layer 3, wherein the
insulating layer 2 has spaces 6 positioned in the vicinity of interfaces
between the active regions and the element isolating parts 5, whereby it
becomes possible to reduce fixed charges or holes existing on a side of
the insulating layer in interfaces between the silicon layer and the
insulating layer, which fixed charges or holes are generated in a process
of oxidation for forming the insulating layer on a bottom surface of the
silicon layer.
Μια συσκευή ημιαγωγών περιλαμβάνοντας ένα υπόστρωμα SOI που κατασκευάζεται με τη διαμόρφωση ενός στρώματος 3 πυριτίου σε ένα στρώμα 2 μόνωσης, μιας πολλαπλότητας των ενεργών περιοχών 3 που τακτοποιούνται οριζόντια στο στρώμα 3 πυριτίου, και του στοιχείου που απομονώνει τα μέρη 5 που έχουν μια τάφρος-όπως μορφή που αποτελείται από έναν μονωτή 5 που ενσωματώνεται μεταξύ των ενεργών περιοχών 3 στο στρώμα 3 πυριτίου, όπου το στρώμα 2 μόνωσης τοποθετεί τα διαστήματα 6 κοντά στις διεπαφές μεταξύ των ενεργών περιοχών και του στοιχείου απομονώνοντας τα μέρη 5, με το οποίο είναι δυνατό να μειωθούν οι σταθερές δαπάνες ή οι τρύπες που υπάρχουν σε μια πλευρά του στρώματος μόνωσης στις διεπαφές μεταξύ του στρώματος πυριτίου και του στρώματος μόνωσης, τα οποία καθόρισαν τις δαπάνες ή τις τρύπες 5 χαβηνγ α τρενθχ-ληκε σχαπε ωχηθχ ης μαδε οφ αν ηνσuλατορ 5 εμψεδδεδ ψετωεεν τχε αθτηβε ρεγηονς 3 ην τχε σηληθον λαυερ 3, ωχερεην τχε ηνσuλατηνγ λαυερ 2 χας σπαθες 6 ποσητηονεδ ην τχε βηθηνητυ οφ ηντερφαθες ψετωεεν τχε αθτηβε ρεγηονς ανδ τχε ελεμεντ ησολατηνγ παρτς 5, ωχερεψυ ητ ψεθομες ποσσηψλε το ρεδuθε φηξεδ θχαργες ορ χολες εξηστηνγ ον α σηδε οφ τχε ηνσuλατηνγ λαυερ ην ηντερφαθες ψετωεεν τχε σηληθον λαυερ ανδ τχε ηνσuλατηνγ λαυερ, ωχηθχ φηξεδ θχαργες ορ χολες αρε γενερατεδ ην α διαδικασία της οξείδωσης για τη διαμόρφωση του στρώματος μόνωσης σε μια κατώτατη επιφάνεια του στρώματος πυριτίου.
