A diamond ultraviolet luminescent element (10) having a current-injection
light-emitting diode structure includes a high-quality boron-doped p-type
diamond crystal (semiconductor layer) (1) synthesized by the high pressure
and high temperature method; a phosphorous-doped n-type diamond crystal
(n-type semiconductor layer) (3) formed on the first diamond surface by
the chemical vapor deposition; an electrode (5) formed on the surface of
the n-type semiconductor layer (3); and an electrode (7) formed on the
surface of the p-type semiconductor layer (1). The luminescence (235 nm)
attributed to the recombination of free excitons resulting from current
injection dominates in ultraviolet wavelength region (10).
Элемент диаманта ультрафиолетов люминисцентный (10) имея структуру светоиспускающого диода в настоящее время-vpryski вклюает высокомарочный бор-danny1 допинг кристалл диаманта п-tipa (слой полупроводника) (1) быть синтезированным high pressure и высоким методом температуры; фосфорист-danny1 допинг кристалл диаманта н-tipa (слой полупроводника н-tipa) (3) сформировал на первой поверхности диаманта низложением химически пара; электрод (5) сформировал на поверхности слоя полупроводника н-tipa (3); и электрод (7) сформировал на поверхности слоя полупроводника п-tipa (1). Люминесценция (235 nm) приписанная к рекомбинации свободно экситонов приводя к от в настоящее время впрыски преобладает в ультрафиолетов зоне длины волны (10).
