Pulse reverse electrodeposition for metallization and planarization of semiconductor substrates

   
   

A smooth layer of a metal is electroplated onto a microrough electrically conducting substrate by immersing the substrate and a counterelectrode in an electroplating bath of the metal to be electroplated and passing a modulated reversing electric current between the electrodes. The current contains pulses that are cathodic with respect to said substrate and pulses that are anodic with respect to said substrate. The cathodic pulses have a duty cycle less than about 50% and said anodic pulses have a duty cycle greater than about 50%, the charge transfer ratio of the cathodic pulses to the anodic pulses is greater than one, and the frequency of said pulses ranges from about 10 Hertz to about 12000 Hertz. The plating bath is substantially devoid of levelers and may be devoid of brighteners.

Uno strato regolare di un metallo è placcato su un microrough che conduce elettricamente il substrato immergendo il substrato e un counterelectrode in un bagno galvanoplastico del metallo per essere placcato e passando una corrente elettrica invertente modulata fra gli elettrodi. La corrente contiene gli impulsi che sono catodici riguardo al substrato detto ed agli impulsi che sono anodici riguardo al substrato detto. Gli impulsi catodici hanno un ciclo di dovere più di meno circa 50% e gli impulsi anodici detti hanno un ciclo di dovere più notevolmente circa 50%, il rapporto di trasferimento della carica degli impulsi catodici agli impulsi anodici è più grande di uno e la frequenza degli impulsi detti varia da circa 10 Hertz a circa 12000 Hertz. Il bagno di placcatura è sostanzialmente privo dei levelers e può essere privo dei proiettori.

 
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