A thin film device fabrication method in which a thin film device formed on
a substrate are transferred to a primary destination-of-transfer part and
then the thin film device is transferred to a secondary
destination-of-transfer part. A first separation layer (120) made of such
a material as amorphous silicon is provided on a substrate (100) which
allows passage of laser. A thin film device (140) such as TFTs are formed
on the substrate (100). Further, a second separation layer (160) such as a
hot-melt adhesive layer is formed on the thin film devices (140), and a
primary destination-of-transfer part (180) is mounted thereon. The bonding
strength of the first separation layer is weakened by irradiation with
light, and the substrate (100) is removed. Thus, the thin film device
(140) is transferred to the primary destination-of-transfer part. Then, a
secondary destination-of-transfer part (200) is attached onto the bottom
of an exposed part of the thin film device (140) via an adhesive layer
(190). Thereafter, the bonding strength of the second separation layer is
weakened by such means as thermal fusion, and the primary
destination-of-transfer part is removed. In this manner, the thin film
device (140) can be transferred to the secondary destination-of-transfer
part (200) while maintaining layering relationship with respect to the
substrate (100).
Een de vervaardigingsmethode van het dunne filmapparaat waarin een dunne filmapparaat dat op een substraat wordt gevormd wordt overgebracht naar primair een bestemming-van-overdracht deel en toen het dunne filmapparaat wordt overgebracht naar secundair een bestemming-van-overdracht deel. Een eerste scheidingslaag (120) die van een dergelijk materiaal wordt gemaakt zoals het amorfe silicium op een substraat (100) wordt verstrekt dat passage van laser toestaat. Een dunne filmapparaat (140) zoals TFTs wordt gevormd op het substraat (100). Verder, wordt een tweede scheidingslaag (160) zoals een heet-smeltings zelfklevende laag gevormd op de dunne filmapparaten (140), en primair wordt bestemming-van-overdracht deel (180) daarop opgezet. De sterkte plakkend van de eerste scheidingslaag wordt verzwakt door straling met licht, en substraat (100) wordt verwijderd. Aldus, wordt dunne filmapparaat (140) overgebracht naar primaire het bestemming-van-overdracht deel. Dan, secundair is bestemming-van-overdracht deel (200) in bijlage op de bodem van een blootgesteld deel van dunne filmapparaat (140) via een zelfklevende laag (190). Daarna, wordt de sterkte plakkend van de tweede scheidingslaag verzwakt op dergelijke manier zoals thermische fusie, en primaire wordt het bestemming-van-overdracht deel verwijderd. Op deze wijze, kan dunne filmapparaat (140) naar secundair bestemming-van-overdracht deel (200) worden overgebracht terwijl het handhaven in lagen aanbrengend verhouding met betrekking tot het substraat (100).
