A method of operating a ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory
comprising a memory unit having a bit line, a transistor for selection, a
sub-memory unit composed of memory cells that are M in number, plate lines
that are M in number, and a sense amplifier connected to the bit line;
wherein each memory cell comprises a first electrode, a ferroelectric
layer and a second electrode; the first electrodes of the memory cells
constituting the sub-memory unit are in common with the sub-memory unit;
said common first electrode is connected to the bit line through the
transistor for selection; and each second electrode is connected to each
plate line; said method comprising reading out data stored in the memory
cell at a designated address externally designated, latching said data in
the sense amplifier, and then outputting said data latched in the sense
amplifier.
Μια μέθοδος μια αμετάβλητη μνήμη ημιαγωγών σιδηροηλεκτρικός-τύπων που περιλαμβάνει μια μονάδα μνήμης που έχει μια γραμμή κομματιών, μια κρυσταλλολυχνία για την επιλογή, μια μονάδα υπο--μνήμης που αποτελείται από τα κύτταρα μνήμης που είναι μ σε αριθμό, γραμμές πιάτων που είναι μ σε αριθμό, και ένας ενισχυτής αίσθησης που συνδέεται με τη γραμμή κομματιών όπου κάθε κύτταρο μνήμης περιλαμβάνει ένα πρώτο ηλεκτρόδιο, ένα σιδηροηλεκτρικό στρώμα και ένα δεύτερο ηλεκτρόδιο τα πρώτα ηλεκτρόδια των κυττάρων μνήμης που αποτελούν τη μονάδα υπο--μνήμης είναι από κοινού με η μονάδα υπο--μνήμης το εν λόγω κοινό πρώτο ηλεκτρόδιο συνδέεται με τη γραμμή κομματιών μέσω της κρυσταλλολυχνίας για την επιλογή και κάθε δεύτερο ηλεκτρόδιο συνδέεται με κάθε γραμμή πιάτων η εν λόγω μέθοδος που περιλαμβάνει διαβάζοντας έξω τα στοιχεία που αποθηκεύτηκαν στο κύτταρο μνήμης σε μια οριζόμενη διεύθυνση υπέδειξε εξωτερικά, κλείνοντας τα εν λόγω στοιχεία στον ενισχυτή αίσθησης με το μάνταλο, και τα έπειτα outputting εν λόγω στοιχεία έκλεισαν στον ενισχυτή αίσθησης.
