This invention regards to novel light emitting device based on indirect
bandgap materials. This device makes efficient electroluminescence
possible in indirect-bandgap materials. With the quantum mechanically
tunneling effect and carrier confinement, and/or small-scale roughness (in
nano-meter range), and/or special (TO) phonon-assisted processes, the
additional momentum required for radiative recombination of electrons and
holes in indirect-bandgap materials could be provided to enhance
luminescence at bandgap energy. Also, the tunneled carriers in the upper
bands of large energy could directly transit to the bottom of bands by
emitting photons at corresponding energy different from bandgap energy.
Consideração desta invenção ao dispositivo emitindo-se claro da novela baseado em materiais indiretos do bandgap. Este dispositivo faz o electroluminescence eficiente possível em materiais indiretos-bandgap. Com o quantum mecanicamente tunneling o efeito e o confinamento do portador, e/ou aspereza small-scale (na escala do nanômetro), e/ou (A) processos phonon-ajudados especiais, o momentum adicional requerido para o recombination radiative dos elétrons e furos em materiais indiretos-bandgap poderia ser fornecido para realçar o luminescence na energia do bandgap. Também, tunneled portadores nas faixas superiores da energia grande poderia diretamente trânsito ao fundo das faixas emitindo-se photons na energia correspondente diferente da energia do bandgap.
