A process of heat-treating II-VI compound semiconductors reduces the
electrical resistivity without the decrease in crystallinity resulting
from the increase in dislocation density. The process comprises the
following steps:(a) placing at least one II-VI compound semiconductor in
contact with aluminum in a heat-treating chamber having the inside surface
formed by at least one material selected from the group consisting of
pyrolytic born nitride, hexagonal-system boron nitride, sapphire, alumina,
aluminum nitride, and polycrystalline diamond; and (b) heat-treating the
II-VI compound semiconductor or semiconductors in a gaseous atmosphere
containing the group II element constituting part of the II-VI compound
semiconductor or semiconductors. A II-VI compound semiconductor is
heat-treated by the foregoing process. An apparatus for heat-treating
II-VI compound semiconductors comprises components for performing the
foregoing process.
Un processus de chaleur-traiter les semi-conducteurs composés d'II-VI réduit la résistivité électrique sans diminution de cristalinité résultant de l'augmentation de la densité de dislocation. Le processus comporte le steps:(a) suivant plaçant au moins un semi-conducteur composé d'II-VI en contact avec l'aluminium dans une chambre detraitement faisant constituer la surface intérieure par au moins un matériel choisi dans le groupe de la nitrure soutenue pyrolytique, de la nitrure de bore de hexagonal-système, du saphir, de l'alumine, de la nitrure en aluminium, et du diamant polycristallin ; et (b) chaleur-traitant le semi-conducteur composé ou des semi-conducteurs d'II-VI dans une atmosphère gazeuse contenant l'élément du groupe II constituant une partie du semi-conducteur composé ou de semi-conducteurs d'II-VI. Un semi-conducteur composé d'II-VI est soumis à un traitement thermique par le processus antérieur. Un appareil pour les semi-conducteurs composés detraitement d'II-VI comporte des composants pour effectuer le processus antérieur.
