A photolithography mask for optically transferring a pattern formed in said
mask onto a substrate and for negating optical proximity effects. The mask
includes a plurality of resolvable features to be printed on the
substrate, where each of the plurality of resolvable features has a
longitudinal axis extending in a first direction; and a pair of
non-resolvable optical proximity correction features disposed between two
of the plurality of resolvable features, where the pair of non-resolvable
optical proximity correction features has a longitudinal axis extending in
a second direction, wherein the first direction of the longitudinal axis
of the plurality of resolvable features is orthogonal to the second
direction of the longitudinal axis of the pair of non-resolvable optical
proximity correction features.
Una máscara de la fotolitografía para ópticamente transferir un patrón formó en la máscara dicha sobre un substrato y para negar efectos ópticos de la proximidad. La máscara incluye una pluralidad de características resolvable que se imprimirán en el substrato, donde cada uno de la pluralidad de características resolvable tiene un eje longitudinal el extender en una primera dirección; y un par de características ópticas non-resolvable de la corrección de la proximidad dispuso entre dos de la pluralidad de características resolvable, donde el par de características ópticas non-resolvable de la corrección de la proximidad tiene un eje longitudinal el extender en una segunda dirección, en donde la primera dirección del eje longitudinal de la pluralidad de características resolvable es orthogonal a la segunda dirección del eje longitudinal del par de características ópticas non-resolvable de la corrección de la proximidad.
