A process of lateral crystallization comprises providing a silicon film on
a substrate surface, exposing a localized substrate region at the
substrate surface to a laser heating source, and annealing a portion of
the silicon film in thermal contact with the localized substrate region by
exposing the silicon film to a low-fluence optical annealing source.
Un proceso de la cristalización lateral abarca el abastecimiento de una película del silicio en una superficie del substrato, exponiendo una región localizada del substrato en la superficie del substrato a una fuente de calor del laser, y el recocido a la porción de la película del silicio en contacto termal de la región localizada del substrato exponiendo la película del silicio a una fuente óptica baja-fluence del recocido.
