A method of fabricating a nano silicon on insulator (SOI) wafer having an
excellent thickness evenness without performing a chemical mechanical
polishing (CMP) and a wafer fabricated by the same are provided. The
provided method includes preparing a bond wafer and a base wafer, and
forming a dielectric on at least on surface of the bond wafer. Thereafter,
an impurity ion implantation unit is formed by implanting impurity ions
into the bond wafer to a predetermined depth from the surface of the bond
wafer at a low voltage. The dielectric of the bond wafer and the base
wafer contact each other in order to be bonded. Next, a thermal process of
low temperature is performed to cleave the impurity ion implantation unit
of the bond wafer. In addition, the cleaved surface of the bond wafer
bonded to the base wafer is etched to form a nano scale device region.
Here, the cleaved surface may be etched by performing a hydrogen surface
process and a wet etching.
Обеспечены метод изготовлять кремний nano на вафле изолятора (SOI) имея превосходную ровность толщины без выполнять химически механически полировать (cmp) и вафля изготовленная этими же. Обеспеченный метод вклюает подготовлять bond вафлю и низкопробную вафлю, и формировать диэлектрик дальше по крайней мере на поверхности bond вафли. В дальнейшем, блок вживления иона примеси сформирован путем имплантировать ионы примеси в bond вафлю к предопределенной глубине от поверхности bond вафли на низком напряжении тока. Диэлектрик bond вафли и низкопробная вафля свяжутся быть скрепленным. Затем, термально процесс низкой температуры выполнен для того чтобы расколоть блок вживления иона примеси bond вафли. In addition, ая поверхность bond вафли скрепленной к низкопробной вафле вытравлена для того чтобы сформировать зону приспособления маштаба nano. Здесь, ая поверхность может быть вытравлена путем выполнять процесс поверхности водопода и влажное вытравливание.
